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innolume DFB激光二極管 1120nm 50mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區(qū)域和專有芯片設計，覆蓋970-1330nm光譜范圍。

innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1020nm 30mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區(qū)域和專有芯片設計，覆蓋970-1330nm光譜

innolume 光纖耦合分布式反饋激光二極管模塊 1020nm 50mW 筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)的專業(yè)光學服務公司，業(yè)務涵蓋設備代理以及項目合作研發(fā)，建有優(yōu)良的AOL(Advanced Optical Labs)光學實驗室，為國內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務。

innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1280nm 60mW 分布式反饋 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源，帶寬低于 5MHz，典型側(cè)模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子點（QD）有源區(qū)域和專有芯片設計，覆蓋970-1330nm光譜

1320nm 高溫高功率DFB芯片 250mW 產(chǎn)品總覽 1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作，具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優(yōu)點.輸出功率高達250mW.可根據(jù)客戶的需求提供波長定制服務