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當(dāng)前位置：首頁產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電二極管GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm

905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm

產(chǎn)品簡介

905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外，峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面，高速響應(yīng)，高增益，低噪聲。

產(chǎn)品型號：GD5210Y-2-2-TO46
更新時間：2024-12-04
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
訪問量：3940
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品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材/家具,電子/電池

硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見光到近紅外，峰值響應(yīng)波長905nm。大光敏面，高速響應(yīng)，高增益，低噪聲。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點：

正照平面型芯片結(jié)構(gòu)

高速響應(yīng)

高增益

低結(jié)電容

低噪聲


產(chǎn)品應(yīng)用：

激光測距

激光雷達

激光警告

技術(shù)參數(shù)：

光電性能（@Ta=22±3℃）



器件型號

光譜響應(yīng)范

圍

(nm)

峰值響

應(yīng)波長

(nm)

響應(yīng)度

λ =905nm

φ e =1μW

M=100

(A/W)

暗電流

M=100

(nA)

響應(yīng)時間

λ =905nm

R L =50Ω

（ns）

工作電壓

溫度系數(shù)

T a =-40℃

～85℃

（V/℃）

總電容

M=100

f=1MHz

（pF）

擊穿電壓

I R =10μA

（V）

典型

最大

最小

最大

GD5210Y-2-2-TO46

400～1100

905

55

0.2

1

0.6

0.9

1.0

130

220

GD5210Y-2-5-TO46

0.4

1

1.2

GD5210Y-2-8-TO46

0.8

2

2.0

GD5210Y-2-2-LCC3

0.2

1

1.0

GD5210Y-2-5-LCC3

0.4

1

1.2



結(jié)構(gòu)/最大絕對額定值

器件型號

封裝形式

光敏面直徑

(mm)

工作電壓

(V)

工作溫度

(℃)

儲存溫度

(℃)

焊接溫度

(℃)

正向電流

(mA)

耗散功率

(mW)

GD5210Y-2-2-TO46

TO-46

0.23

0.9×V BR

-40～85

-45～100

260

0.25

100

GD5210Y-2-5-TO46

TO-46

0.50

GD5210Y-2-8-TO46

TO-46

0.80

GD5210Y-2-2-LCC3

LCC3

0.23

GD5210Y-2-5-LCC3

LCC3

0.50



產(chǎn)品型號


名稱

型號

描述

價格

貨期

硅雪崩光電二極管


GD5210Y-2-2-TO46

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm

峰值響應(yīng)波長：905nm

光敏面直徑：0.23mm

封裝：TO46



硅雪崩光電二極管


GD5210Y-2-5-TO46

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm

峰值響應(yīng)波長：905nm

光敏面直徑：0.50mm

封裝：TO46



硅雪崩光電二極管


GD5210Y-2-8-TO46

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm

峰值響應(yīng)波長：905nm

光敏面直徑：0.80mm

封裝：TO46



硅雪崩光電二極管


GD5210Y-2-2-LCC3

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm

峰值響應(yīng)波長：905nm

光敏面直徑：0.23mm

封裝：LCC3



硅雪崩光電二極管


GD5210Y-2-5-LCC3

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm

峰值響應(yīng)波長：905nm

光敏面直徑：0.50mm

封裝：LCC3





典型特性曲線


302.png


303.png



304.png


305.png


封裝外形、尺寸及引腳定義

GD5210Y-2-2/5/8-TO46（三腳和兩腳封裝）


306.png


GD5210Y-2-2/5-LCC3


307.png


308.png


等效電路及應(yīng)用電路



309.png






310.png






注：C 1 －濾波電容，濾除偏置工作電壓 V R 的噪聲。

C 2 －旁路電容，為交流信號提供對地回路。

R 1 －限流電阻，防止偏置工作電壓 V R 過高時，損壞探測器。

R i －取樣電阻，將光電流轉(zhuǎn)化為電壓信號。

定購信息：


TO 封裝形式:


311.png









312.png





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