熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
CO2激光光譜分析儀
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
IRV2000-1X350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
當前位置：首頁
產品中心光電探測器InGaAs銦鎵砷光電二極管InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內置TEC制冷型）
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內置TEC制冷型）
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內置TEC制冷型）
InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
線性模式參數
產品型號 | IGA-APD-GM104-TEC | |||||
參數 | 符號 | 單位 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
反向擊穿電壓 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
響應度 | Re | A/W | 22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
暗電流 | ID | nA | 22℃±3℃，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
電容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
擊穿電壓溫度系數 | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
蓋革模式參數
參數 | 單位 | 測試條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
單光子探測效率 PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布單光子源 | 20 | ||
暗計數率 DCR |
kHz | -45℃，1ns門寬，2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% |
20* | ||
后脈沖概率 APP | -45℃，1ns門寬，2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% | 1× 10-3 | |||
時間抖動Tj | ps | -45℃，1ns 門寬，2MHz門控重頻，PDE=20% | 100 |
* 可提供不同等級規格產品
室溫IV曲線
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
溫度系數
電容電壓
● 光譜響應范圍0.9~1.7μm
● 高探測效率、低暗計數率
● 6 pin TO8
封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 （尾纖封裝）
● 弱光探測
● 量子保密通信
● 生物醫療
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內置TEC制冷型）
上一個：
返回列表
